原子層沉積技術(shù)可改善Micro LED的性能

　　據外媒報道，工業(yè)原子層沉積(ALD)薄膜涂層技術(shù)領(lǐng)先供應商Picosun集團日前表示，通過(guò)使用一種稱(chēng)為ALD鈍化的技術(shù)提高了其Micro LED的性能。

　　Picosun認為，對于包括液晶顯示器、OLED以及傳統LED等現有顯示技術(shù)來(lái)講，Micro LED是一大挑戰。因為Micro LED提供了包括體積小、低功耗、卓越的亮度及能效、更高的對比度及色彩飽和度、超高分辨率、靈活性以及良好的可靠性等性能。

　　目前全球許多領(lǐng)先的電子制造商和研發(fā)機構都在抓緊研發(fā)Micro LED。這類(lèi)Micro LED設備通常用于包括平板電腦、智能手機和智能手表等設備的小尺寸屏幕中。

　　但是，Micro LED技術(shù)的一些缺點(diǎn)，也阻礙了該技術(shù)的全面商業(yè)突破。Micro LED屏幕由可產(chǎn)生綠色、藍色和紅色光的微小的像素組成，而制造這些像素的一些步驟容易導致其精細納米級結構的損壞，進(jìn)而會(huì )導致光強度的損失。

　　Picosun表示，現已證實(shí)ALD“可以有效地修復這些結構損壞，不僅可以恢復照明強度，還可以將其提高到更高水平。”