科研人員發(fā)現填補白光LED的綠黃色差的新方法

　　沙烏地阿拉伯阿布杜拉國王科技大學(xué)與老國王科技城的研究人員提出了一種新穎的方法，能夠填補在基于多螢光粉的白光LED應用中常見(jiàn)因轉換效率不佳造成的“綠黃色差”(green-yellow gap)。

　　采用兩溫度步驟生長(cháng)方法的元件結構SEM圖 (在納米線(xiàn)中嵌入的Qdisks 電子顯微鏡圖)

　　在發(fā)布于《ACS Photonics》期刊中的研究論文描述一種以588nm發(fā)射的納米線(xiàn)LED (NW LED)，能夠在相容于CMOS制程的低成本鈦(Ti)薄膜/矽(Si)基板平臺上生長(cháng)。其緊密的納米線(xiàn)層可生長(cháng)達到9x109 cm^?2的表面密度，填充因子為88%。

　　元件結構顯示并排生長(cháng)的多納米線(xiàn)

　　每個(gè)納米線(xiàn)p-i-n LED結構嵌入一個(gè)5層3nm厚的InGaN量子碟(Qdisk)堆疊而成的主動(dòng)區域，各層之間并以10nm量子阻障層區隔開(kāi)來(lái)。

　　在單獨操作黃光納米線(xiàn)LED時(shí)，研究人員們在29.5 A/cm^2 (在0.5x0.5mm^2元件上約75mA)觀(guān)察到588nm的峰值發(fā)射以及約2.5V的低導通電壓，內部量子效率約39%，而且在達到29.5A/cm^2的注入密度以前，并不至于出現“效率降低”的情形。

　　接著(zhù)，研究人員展示混合這種黃光以及紅、綠、藍雷射二極體的好處。在實(shí)際的設置時(shí)，使用RGB光束照射黃光納米線(xiàn)LED，就像螢光粉一樣，并在反射配置中采用光散射層，在白光混合物中添加其黃光發(fā)射。

　　其結果是大約為6000K的相關(guān)色溫，以及達到87.7的顯色指數。

　　KACST固態(tài)照明技術(shù)創(chuàng )新中心主任暨電子工程教授Boon S. Ooi表示，這種方法的目標在于降低白光中的藍光強度，從而創(chuàng )造一種對于人眼更為友善的的溫暖白光，同時(shí)為基于雷射的固態(tài)照明(SSL)提供調諧色溫的新方法。“目前，我們已經(jīng)針對這項技術(shù)提出了專(zhuān)利，”而這也暗示了未來(lái)的一些商機。