GTAT導入離子體汽相淀積技術(shù) 降LED生產(chǎn)成本

　　GT Advanced Technologies (GTAT)宣布向Kyma Technologies, Inc.收購其等離子體汽相淀積(PVD)技術(shù)及專(zhuān)門(mén)知識的獨家使用權。Kyma所開(kāi)發(fā)的等離子體汽相淀積柱狀納米技術(shù)(PVDNC(TM))可以在氮化鎵沉淀前，在晶圓上沉積一層高品質(zhì)的生長(cháng)型初始層氮化鋁。GT 計劃將等離子體汽相淀積工具商業(yè)化，以配合其正在研發(fā)的氫化物氣相外延(HVPE)系統，該組合將令LED生產(chǎn)商可以在圖案化或平面晶圓上，用更低的成本生產(chǎn)更高產(chǎn)量的氮化鎵模板。GT已經(jīng)有一個(gè)可以用于大量生產(chǎn)的原型工具，結合Kyma的等離子體汽相淀積柱狀納米技術(shù)，預期到2015年上半年即可提供量產(chǎn)工具。

　　GTAT的總裁兼首席執行官Tom Gutierrez 表示：“Kyma創(chuàng )新的“柱狀納米”PVDNC技術(shù)為我們不斷擴張的LED生產(chǎn)基地帶來(lái)了重要的補充。我們的目標是提供一系列的解決方案，以提升LED的生產(chǎn)品質(zhì)及降低成本。將GT的PVD AlN工具與我們正在研發(fā)的HVPE系統相結合，預計可讓LED生產(chǎn)商以比現行生產(chǎn)技術(shù)更低的成本生產(chǎn)出開(kāi)盒即用晶圓。”

　　Kyma的總裁兼首席執行官Keith Evans表示：“我們非常高興GT決定將我們的等離子體汽相淀積柱狀納米技術(shù)商業(yè)化。經(jīng)過(guò)多年創(chuàng )新及生產(chǎn)AIN模板，我們深信柱狀納米AlN 薄膜將為L(cháng)ED行業(yè)帶來(lái)實(shí)實(shí)在在的好處。”

　　今天，將氮化鎵沉積在開(kāi)盒即用的晶圓時(shí)，需要使用較為昂貴而且進(jìn)程緩慢的MOCVD工具。透過(guò)結合PVD與HVPE這兩個(gè)流程，將可以生產(chǎn)低成本的氮化鎵模板，廠(chǎng)商將能夠利用現有的LED生產(chǎn)線(xiàn)擴產(chǎn);另外，由于他們需要的MOCVD 工具更少，此舉也可以降低其資本開(kāi)支。