科達集團組建山東省半導體工程技術(shù)研究中心

         1月25日，從有關(guān)部門(mén)獲悉，省科技廳下發(fā)批復，同意科達集團組建山東省半導體工程技術(shù)研究中心，組建期三年。
        據了解，組建山東省半導體工程技術(shù)研究中心是我市大力發(fā)展高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的重要舉措，科達半導體項目自主研發(fā)了多種規格的IGBT、MOSFET、FRD等產(chǎn)品。目前，科達半導體公司有設施齊全的功率MOSFET、IGBT動(dòng)靜態(tài)參數測試設備、可靠性試驗設備、芯片設計平臺等研發(fā)設施，是目前國內測試設施最全、最先進(jìn)的功率半導體研發(fā)基地。 

        山東省半導體工程技術(shù)研究中心成立后，通過(guò)研發(fā)，每年可為企業(yè)提供3個(gè)以上的產(chǎn)業(yè)化的新產(chǎn)品項目，每年可為企業(yè)提供不低于5000萬(wàn)元的新增效益，確保企業(yè)產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭優(yōu)勢，并可為社會(huì )其他企業(yè)提供產(chǎn)品設計方案和技術(shù)解決方案，年綜合經(jīng)濟效益可達數億元。