士蘭明芯高亮度紅光LED芯片研發(fā)成功進(jìn)入批量生產(chǎn)

　　高亮度紅光led芯片是一種亮度高、可靠性好的發(fā)光器件。相對于普通結構的紅光LED芯片，高亮度紅光芯片采用鍵合工藝實(shí)現襯底置換，用到熱性能好的硅襯底（硅的熱導率約為1.5W/K.cm）代替砷化鎵襯底（砷化鎵的熱導率約為0.8W/K.cm），芯片具有更低熱阻值，散熱性能更好，有利于提高可靠性。另外，在P-GaP上鍍反射層，比普通紅光外延層中生長(cháng)DBR反射鏡出光效率更高。為了克服光在芯片與封裝材料界面處的全反射而降低取光效率，還在芯片制作一些表面紋理結構。相同尺寸相同波長(cháng)的芯片，20mA電流下，兩者光強相差兩倍以上。

　　高亮度紅光LED芯片因為本身發(fā)光效率高、可靠性好，主要應用于對亮度、可靠性要求較高的場(chǎng)合，比如幕墻屏幕、液晶顯示屏|顯示器件LED背光源等領(lǐng)域。之前由于普通紅光LED芯片亮度不夠，在由紅（R）綠（G）藍（B）組成的一個(gè)全色模組中通常的構成是一顆藍光芯片、一顆綠光芯片、兩顆普通紅光芯片?，F在若使用高亮度紅光芯片則一顆就可滿(mǎn)足要求，而且可靠性高，維護成本明顯降低。

　　目前市場(chǎng)上較多的是普通結構的紅光芯片，價(jià)格已經(jīng)很低，利潤空間很小。高亮度紅光芯片有較大的市場(chǎng)需求，由于在制造技術(shù)上有一定的難度，目前只有少數幾家公司能批量供貨，產(chǎn)品的性?xún)r(jià)比較高。

　　2008年底士蘭明芯科技有限公司開(kāi)始開(kāi)發(fā)高亮度紅光芯片，技術(shù)團隊不斷調整試驗方案、優(yōu)化工藝參數，使不同熱膨脹系數材料之間的金屬鍵合工藝窗口更寬，鍵合良率和可靠性得到保障。

　　金屬反光特性一直是影響紅光芯片亮度的一個(gè)主要因素，通過(guò)大量試驗，已經(jīng)徹底解決了這一問(wèn)題。

　　發(fā)光二極管的電極合金條件不合適會(huì )導致金絲鍵合時(shí)電極脫落，對于高亮度紅光芯片而言，電極合金的工藝要求更高。為了解決好電極和紅光外延層粘附性問(wèn)題，士蘭明芯的技術(shù)團隊在表面處理、合金層結構、合金條件做了大量試驗和重復驗證工作，克服了電極容易脫落這一難題。

　　士蘭明芯高亮度紅光芯片的各項參數指標已達到先進(jìn)的水平，2009年7月份進(jìn)入批量生產(chǎn)?，F在生產(chǎn)的芯片尺寸規格有280um×280um、350um×350um兩種。