日大阪大學(xué)試制出GaN系半導體紅色LED

　　日本大阪大學(xué)研究生院工學(xué)研究系材料生產(chǎn)科學(xué)專(zhuān)業(yè)教授藤原康文試制出了利用GaN系半導體的紅色LED組件。利用GaN系半導體的藍色LED組件及綠色LED組件現已達到實(shí)用水平，但試制出紅色LED組件“還是全球首次”。如果可與藍色LED組件及綠色LED組件一樣，利用GaN系半導體制造出紅色LED組件，便可在相同底板內實(shí)現RGB的3原色。這樣一來(lái)，估計將有助于實(shí)現像素尺寸較小且精細度較高的LED顯示器。

　　此次，通過(guò)在發(fā)光層上利用添加稀土類(lèi)元素“銪（Eu）”的GaN，實(shí)現了紅色LED組件。此前也進(jìn)行過(guò)向GaN添加Eu以獲得紅色光的研究，但原來(lái)采用離子注入法添加Eu，通過(guò)光致激發(fā)（Photoexcitation）獲得紅色光。而藤原的研究小組采用MOCVD法添加Eu，同時(shí)通過(guò)注入電流成功地獲得了紅色光。這是“全球首次”采用該方法獲得紅色激光。

 日大阪大學(xué)試制出GaN系半導體紅色LED組件

　　試制品在驅動(dòng)電流為20mA，驅動(dòng)電壓為6V時(shí)，光輸出功率為1.3μW。雖然光輸出功率尚小，但作為L(cháng)ED組件，如果進(jìn)一步優(yōu)化電極結構等，預計還可大幅提高光輸出功率。