國內外高校兩項Micro LED研究進(jìn)展一覽

　　近日，國內外高校相繼在Micro LED 研究上又有新進(jìn)展。

　　01 香港科技大學(xué)研發(fā)全彩Micro LED制作新技術(shù)

　　香港科技大學(xué) (HKUST ) 的研究團隊展示了一種新技術(shù)，可利用InGaN和AlGaInP半導體材料的異質(zhì)集成實(shí)現全彩Micro LED顯示器。

　　據悉，研究團隊制造了一款Micro LED微型顯示器原型，具有200x80像素和每英寸391像素的超高分辨率。為了實(shí)現全彩顯示效果，團隊開(kāi)發(fā)了一種集成藍、綠和紅光的Micro LED陣列雙層顯示架構。

　　通過(guò)異構集成的方法，團隊能夠利用InGaN和AlGaInP材料的高效率分別實(shí)現藍、綠和紅光發(fā)射。

　　研究人員表示，新技術(shù)與多堆棧晶圓鍵合或顏色轉換等現有技術(shù)相比，其簡(jiǎn)化了制造流程。利用該技術(shù)，研究團隊成功地在微顯示器上顯示全彩圖像，顯示器具有109% sRGB色域和300尼特的亮度。研究團隊表示，通過(guò)增強像素驅動(dòng)器和優(yōu)化GaN雙色外延片 的方法，可以進(jìn)一步改善微顯示器的顏色混合并實(shí)現超過(guò)4000尼特的亮度。

　　02 謝菲爾德大學(xué)研發(fā)外延生長(cháng)Micro LED技術(shù)

　　謝菲爾德大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)了一種Micro LED制造新方法，稱(chēng)作Confined selective epitaxy (CSE) 的技術(shù)。該技術(shù)允許在外延生長(cháng)過(guò)程中直接形成Micro LED，而不是使用傳統的蝕刻工藝。新技術(shù)避免等離子體損壞，顯著(zhù)提高M(jìn)icro LED的性能和功能。研究團隊表示CSE技術(shù)可有效解決Micro LED面臨的多項生產(chǎn)挑戰。

　　據團隊介紹，在效率方面，CSE技術(shù)實(shí)現了尺寸為3.6μm的綠光Micro LED，峰值外部量子效率達到9%，較蝕刻技術(shù)打造的Micro LED提升1~5%。

　　在波長(cháng)方面，CSE技術(shù)可實(shí)現以直接生長(cháng)紅光642nm的Micro LED，具有1.75%的外量子效率 。在電流泄漏方面，CSE技術(shù)可將Micro LED側壁泄漏電流密度降低至3×10- 6 A/cm2 ，減少顯示器像素的無(wú)意激活。

　　在集成度方面，CSE技術(shù)實(shí)現了Micro LED與HEMT驅動(dòng)器電子器件的直接集成，避免了復雜的組裝步驟。