封裝可靠性與失效分析（下）

　　表面貼裝元器件的發(fā)展導致了安裝方式從通孔插裝到表面貼裝的變化。相應的元器件封裝形式也發(fā)生了變化。

　　No.4

　　To封裝

　　To封裝最初被用作上面有厚膜電阻、電容、芯片-線(xiàn)焊半導體器件的多層陶瓷基板的封裝外殼。To99是低矮款式的To5封裝，其常用于封裝中等復雜程度的單層基片電路。

　　To形式的封裝成本最低，且封裝合格率較好，在半導體工業(yè)界曾廣泛使用。

　　No.5

　　DIP封裝

　　(dual in-line package,雙列直插封裝)

　　上世紀70年代開(kāi)始流行DIP，其針腳分布于兩側，且呈直線(xiàn)平行布置，直插入印制線(xiàn)路板，以實(shí)現機械固定和電氣連接。

　　a.DIP封裝比To封裝易于對基板布線(xiàn)，操作方便

　　b.DIP引腳數一般不超過(guò)100個(gè)

　　c.DIP封裝結構形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線(xiàn)框架式DIP等。

　　衡量芯片封裝技術(shù)先進(jìn)與否的一個(gè)重要指標是芯片面

　　積與封裝面積之比，這個(gè)比值越接近1越好。

　　d.以采用40根I/O引腳塑料包封雙列直插式(PDIP)的CPU為例，芯片面積/封裝面積=1:86。所以，這種封裝效率很低，占去了很多有效安裝面積。

　　e. 很多中小規模集成電路采用這種封裝形式，現在一些主板的BIOS芯片還采取這種封裝形式。Intel公司在這段時(shí)間推出的CPU如8086，80286都采用PDIP封裝。

　　No.6

　　PGA (Pin grid array package)

　　(針柵陣列插入式封裝)

　　此封裝形式是在DIP的基礎上，為適應高速度、多針腳化(提高端子密度)而出現的。針腳不是單排或雙排，而是在整個(gè)平面呈柵陣排布。

　　a. 與DIP相比，在不增加針腳間距的情況下，可以按近似平方的關(guān)系提高針腳數。若采用導熱性良好的陶瓷基板，還可以適應高速度、大功率器件的要求。

　　b. 這種封裝具有向外伸出的針腳，一般采用插入式實(shí)裝而不宜采用表面實(shí)裝，采用陶瓷基板，價(jià)格相對較高。

　　No.7

　　芯片載體封裝

　　上世紀80年代出現了芯片載體封裝，其中有陶瓷無(wú)引線(xiàn)芯片載體LCCC(Leadless ceramic chip carrier),塑料無(wú)引線(xiàn)芯片載體PLCC(Plastic Leadless Chip Carrier),小尺寸封裝SOP(Small Outline Package),塑料四邊扁平封裝PQFP(Plastic Quad Flat Package)等。

　　a. 芯片載體封裝適合用表面安裝技術(shù)在基板上安裝布線(xiàn)。

　　b. 封裝外形尺寸小，寄生參數小，可靠性進(jìn)一步提高，適合高頻應用。

　　c.以208根I/O引腳的QFP封裝的CPU為例，外形尺寸28mm*28mm,芯片尺寸10mm*10mm，則芯片面積/封裝面積=1：7.8。

　　d. 在此期間，Intel公司的CPU如80386就采用塑料四邊引出扁平封裝PQFP

　　QFP由SOP發(fā)展而來(lái)，其外形呈扁平狀，鳥(niǎo)翼形引線(xiàn)端子的一端由PKG的四個(gè)側面引出，另一端沿四邊布置在同一平面上。由QFP派生出LCCC、PLCC以及TCP等。

　　e.QFP實(shí)裝在基板上不是靠針腳插入通孔中，而是采用SMT方式，即通過(guò)焊料等粘附在基板表面相應的電路圖形上。因此，基板兩面可以形成不同的電路，采用整體回流焊等方式使兩面上搭載的全部元器件一次鍵合完成，便于自動(dòng)化操作，可靠性也有保證，是目前最常采用的PKG形式。

　　f. 由于QFP的引線(xiàn)端子四周邊布置，且伸出PKG之外，若引線(xiàn)間距過(guò)窄，引線(xiàn)過(guò)細，則端子更為柔嫩，難免制造及實(shí)裝過(guò)程中造成變形。當端子數超過(guò)幾百個(gè)，端子間距等于或小于0.3mm時(shí)，要精確的搭載在電路圖形上并與其它元件一起采用再流焊一次完成，難度極大，需采用專(zhuān)用搭載機，致使封裝價(jià)格劇增。

　　No.8

　　BGA(ball grid array,球柵陣列封裝)

　　上世紀90年代，隨著(zhù)集成技術(shù)的進(jìn)步，LSI、VLSI、ULSI相繼出現，硅單芯片集成度不斷提高，I/O引腳數急劇增大，功耗隨之增大，對集成電路封裝要求更加嚴格。

　　BGA最早由摩托羅拉公司開(kāi)發(fā)，曾稱(chēng)為bump grid array.它實(shí)際是在PGA和QFP的基礎上發(fā)展而來(lái)：取前者端子平面陣列布置，將插入式的針腳改換成鍵合用的微球;取后者可采用SMT等由一次回流焊完成實(shí)裝等優(yōu)點(diǎn)。

　　目前，從形式上看BGA主要有下面幾種類(lèi)型：

　　PBGA(Plastic ball grid array),以印制線(xiàn)路板為封裝基板的BGA;

　　CBGA(Ceramic ball grid array),以陶瓷基板為封裝基板的BGA;

　　TBGA(Tape ball grid array),帶載BGA;

　　SBGA(Super ball grid array),以覆銅基板為封裝基板的BGA。

　　最早開(kāi)發(fā)并推廣應用的BGA形式為PBGA。所謂PBGA是把PGA的針腳端子變成便于表面實(shí)裝的球形端子，封裝基板不采用高價(jià)的陶瓷，而采用價(jià)格便宜、跟印制電路板相同的、加入玻璃纖維的環(huán)氧樹(shù)脂基板，芯片電極與封裝基板布線(xiàn)的連接一般采用WB方式，BGA與實(shí)裝基板的連接采用回流焊的方式。

　　按封裝基板的層數，PBGA又有單層和多層之分，后者有EBGA(enhanced BGA)、ABGA(advanced BGA)等之分，但結構大同小異，芯片采用電極面朝下方式，芯片背面粘附散熱板，有利于高頻信號的傳輸，熱阻小，基板及封裝設計的自由度大。

　　第二種BGA形式為T(mén)BGA，它可以進(jìn)一步的實(shí)現多端子化和小型化。它采用便于封裝基板布線(xiàn)圖形微細化及半導體芯片鍵合焊盤(pán)微細化的TCP(TAB)技術(shù)。TBGA具有薄型，低熱阻，有利于高頻信號傳輸，便于更精細布線(xiàn)，適合多端子封裝等優(yōu)點(diǎn)。

　　還有一種BGA形式為FCBGA(flip chip BGA)，即倒裝芯片BGA，主要適應1000引腳以上的多端子封裝。

　　a. BGA的I/O引腳雖然繼續增多(400引腳以上并不困難)，但引腳間距大于QFP，提高了組裝成品率;

　　b. BGA厚度比QFP減少1/2以上，重量輕3/4以上;

　　c. 寄生參數小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高;

　　d. 現在的BGA，從技術(shù)上看正向兩級化領(lǐng)域發(fā)展，一極以滿(mǎn)足多功能、高性能的電子設備為主要目標，以多引腳、高速化為其主要特征;另一極以滿(mǎn)足多功能、小型化、便攜式的電子設備為主要目標，以小型化為其主要特征。

　　e. 仍與QFP一樣，BGA占用基板面積還是較大;Tessera公司在BGA基礎上做了改進(jìn)，研制出一種         封裝技術(shù)，芯片面積/封裝面積=1：4。

　　BGA一經(jīng)出現，便成為CPU，南北橋芯片封裝的最佳選擇。典型的如PentiumⅡ采用陶瓷球柵陣列封裝CBGA,并在外殼上安裝微型排風(fēng)扇散熱，從而達到電路的可靠穩定工作。

　　開(kāi)發(fā)BGA最早，最積極的是美國的公司。日本一些大公司曾想依靠其高超的操作技能固守QFP不放，但由于BGA具有與電路圖形自對準功能、所占實(shí)裝面積小、對端子間距要求不苛刻、便于實(shí)現高密度封裝等優(yōu)點(diǎn)，日本各大電子公司后起直追，投入相當大力量開(kāi)發(fā)各種類(lèi)型的BGA。由于CSP的開(kāi)發(fā)成功，日本在超小型封裝方面后來(lái)居上。

　　雖然BGA封裝價(jià)格比QFP高，但由于實(shí)裝可靠(日本微機廠(chǎng)商主板中采用的200端子PBGA，實(shí)裝不合格率僅為百萬(wàn)分之六)，因實(shí)裝不良造成的返修價(jià)格幾乎為零，按總的封裝價(jià)格相比，BGA占優(yōu)勢。

　　No.9

　　CSP

　　(chip size package,芯片尺寸封裝)

　　CSP具有各種各樣的結構，并不是一種新的封裝類(lèi)型。但CSP應具有下述特征：

　　1) CSP就是與芯片尺寸等同或略大的封裝的總稱(chēng)。

　　2) 就封裝形式而論，屬于已有封裝形式的派生品，因此可  以按現有封裝形式來(lái)分類(lèi)，如BGA型，LGA型，SON型等。

　　3) 從1996年起，CSP逐漸向便攜式信息電子設備推廣，其標準化、一次回流焊特性及價(jià)格等與QFP不相上下。

　　4) 目前的CSP，不僅從外觀(guān)，而且從內部連接方式上都有多種不同結構。各大電子公司為了在包括低檔產(chǎn)品在內的一般便攜式信息設備中實(shí)現超高密度化，都在積極開(kāi)發(fā)極限超小型封裝，CSP發(fā)展極為迅速，各種新型的CSP結構會(huì )不斷出現。

　　關(guān)于CSP的類(lèi)型，日本電子機械工業(yè)協(xié)會(huì )(EIAJ)打算按CSP外形分為平面陣列端子型和周邊布置端子型兩大類(lèi)。

　　在平面陣列端子型CSP中，目前世界上開(kāi)發(fā)、應用最廣泛的是FBGA或稱(chēng)FLGA。EIAJ正在對端子間距小于0.8mm,外形尺寸4~21mm的這種超小型封裝進(jìn)行標準化。

　　CSP封裝現已用于內存條和便攜電子產(chǎn)品，如數字電視、手機芯片、藍牙等新型產(chǎn)品中。

　　HIC失效類(lèi)型及原因

　　為了生產(chǎn)可靠的混合微電路且具有高的成品率，對發(fā)生的任何失效都必須進(jìn)行分析，找出原因，進(jìn)行工藝改進(jìn)，防止失效再次發(fā)生。

　　混合微電路中的失效可以歸結為以下六類(lèi)原因中的一個(gè)或多個(gè)：器件、線(xiàn)焊、芯片貼裝、基片、封裝、玷污。

　　由美國羅姆航空發(fā)展中心搜集的數據表明，有缺陷的有源器件、邊緣質(zhì)量的線(xiàn)焊和玷污是造成失效的主要原因。

　　金屬互連電遷移可靠性問(wèn)題研究

　　電遷移現象是由于在電流作用下金屬中的原子定向遷移所致，是金屬互連中的原子受到運動(dòng)電子作用引起的物質(zhì)輸運現象。

圖1 電遷移作用下金屬原子受力圖

　　SEM下Al電遷移損傷形貌

　　產(chǎn)生電遷移失效的內因，是薄膜導體內結構的非均勻性，外因是電流密度。

　　由電遷移而引起的鋁導體的平均失效時(shí)間由black方程預測：

　　A為比例常數，J是電流密度，n是電流密度指數，EA是電遷移失效活化能。

　　電遷移傳統表征參量：

　　1)1968年，Rosenberg和Berenbau首次提出通過(guò)電阻測量研究電遷移過(guò)程 。

　　優(yōu)點(diǎn)：方法簡(jiǎn)單，直觀(guān)明了。

　　缺點(diǎn)：需要較強的應力與較長(cháng)的應力作  用時(shí)間;實(shí)驗對樣品具有不可逆的破壞性;電阻測量對溫度控制要求較高。

　　2)1976年，Celasce等人提出可通過(guò)噪聲測量來(lái)研究電遷移 。

　　Simoen等人通過(guò)老化試驗得出經(jīng)驗公式：

　　其中，TTF為樣品失效時(shí)間;為與電遷移相關(guān)的    1/f²噪聲電壓的均方值。

　　Feng等人指出1/fT噪聲與互連的普適電導波動(dòng)(universal conductance fluctuation)密切相關(guān) 。

　　Satoshi等人認為    噪聲對溫度的反應比電阻更加敏感，他們測得鋁互連中    噪聲與溫度的關(guān)系,最低已可測至11k的溫度 。

　　Cottle等人指出   噪聲與電遷移關(guān)系密切,激活能值的不同反映了不同的電遷移機制 。

　　老化實(shí)驗結果分析及機理探討（1）

　　電遷移空位聚集階段的電阻變化

　　老化實(shí)驗結果分析及機理探討（2）

　　電遷移空位聚集階段的噪聲變化

　　相關(guān)積分的定義如下 ：設有時(shí)間序列為x1,x2,x3......xn測量時(shí)間

　　通過(guò)時(shí)間延遲，定義一個(gè)維數為m的嵌入空間的矢量：

　　那么相關(guān)積分表示為：

　　不難看出相關(guān)積分是在嵌入空間統計所有相互之間距離小于r的點(diǎn)的個(gè)數。

　　相關(guān)積分C(r)和r有如下冪函數的關(guān)系：

　　對于確定性信號，冪指數V(m)隨m的增加而趨于一個(gè)穩定值，這個(gè)值與m無(wú)關(guān);

　　對于隨機信號，冪指數V(m)值將隨m值變化不會(huì )達到飽和，而有V(m)~m成正比關(guān)系 。

　　老化實(shí)驗結果分析及機理探討（3）

　　電遷移空位聚集階段的相關(guān)積分變化

　　電遷移空位聚集階段失效機理分析

　　——晶界處空位濃度隨時(shí)間線(xiàn)性增加。

　　——空位濃度調制空位對電子的散射幾率

　　——空位濃度調制電子的遷移率

　　電遷移前期的電流噪聲是大量空位隨機散射過(guò)程產(chǎn)生的。

　　老化實(shí)驗結果分析及機理探討（4）

　　空洞成核階段的電阻變化

　　老化實(shí)驗結果分析及機理探討（5）

　　空洞成核階段的相關(guān)積分變化

　　老化實(shí)驗結果分析及機理探討（6）

　　空洞成核階段失效機理分析

　　自由體積模型——

　　相關(guān)積分結果顯示信號具有確定性

　　空洞尺寸與介觀(guān)混沌腔尺寸同為微米量級

　　空洞與混沌腔進(jìn)行類(lèi)比

　　老化實(shí)驗結果分析及機理探討（7）

　　空洞成核階段的失效機理分析

　　老化實(shí)驗結果分析及機理探討（9）

　　電遷移相關(guān)維數

　　重構電遷移動(dòng)力系統的空間維數最少為3維。

　　老化實(shí)驗結果分析及機理探討（10）

　　蝴蝶效應

　　老化實(shí)驗結果分析及機理探討（11）

　　決定論性混沌的起源：

　　不是內在隨機力，不是外在噪聲源，不是無(wú)窮大自由度相互作用，不是量子力學(xué)不確定性。而是非線(xiàn)性系統對于初始條件的敏感依賴(lài)性。

　　什么是決定論性混沌？

　　△ 決定論性規律所產(chǎn)生的隨機行為

　　△ 簡(jiǎn)單的(非線(xiàn)性)規律反復作用后形成的不可預測結果。

　　△ 決定論性是指經(jīng)典軌道的存在性和唯一性。隨機性是指混沌軌道與擲錢(qián)幣一類(lèi)隨機過(guò)程完全對應。

　　△ 并不自相矛盾：在宏觀(guān)尺度上，我們的確生活在既是決定論性的又是隨機性的世界中。

　　老化實(shí)驗結果分析及機理探討（12）

　　電遷移信號相圖

金鑒顯微光分布測試系統

金鑒顯微熱分布測試系統